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行業(yè)周報(bào)|A股半導(dǎo)體相關(guān)公司股價(jià)速報(bào)

本周在經(jīng)歷春節(jié)后連續(xù)兩周的大漲后終于迎來(lái)歷史罕見(jiàn)的大跌。158支股票中僅9支上漲，總市值3.85萬(wàn)億人民幣，較前期下跌6.20%：本周相對(duì)前期漲幅超過(guò)10%的股票只有一支巨化股份(600160.SH)，也是*一支超過(guò)5%的；本周相對(duì)前期跌幅超過(guò)10%的股票有22支，超過(guò)5%的股票高達(dá)101支；詳細(xì)數(shù)據(jù)請(qǐng)參考下面表格：免責(zé)聲明：本文轉(zhuǎn)載自“半導(dǎo)體行業(yè)綜研”，支持保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明原出處及作者，如有
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行業(yè)數(shù)據(jù)|全球化合物半導(dǎo)體襯底、外延制造商列表

我之前發(fā)布過(guò)全球第二代和第三代化合物半導(dǎo)體晶圓襯底、外延制造商的名單，獲得不少行業(yè)朋友的反饋和指點(diǎn)，加上我最近一段時(shí)間的收集整理，目前名單又有不少更新，所以特地發(fā)一個(gè)新版本供大家參考這次，我把第二代、第三代（寬禁帶）材料制造商的名單放到一起，方便讀者完整了解由于部分信息來(lái)自網(wǎng)絡(luò)，不一定準(zhǔn)確，麻煩大家理解包涵。有任何問(wèn)題，歡迎大家以任何方式給予反饋
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行業(yè)數(shù)據(jù)|邏輯集成電路制造工藝演進(jìn)表

多年以來(lái)，基于硅襯底的邏輯集成電路制造工藝技術(shù)一直按照摩爾定律不斷發(fā)展演進(jìn)。目前TSMC的3nm工藝也即將投入量產(chǎn) 對(duì)于多數(shù)人而言，代表半導(dǎo)體工藝水平的線寬尺寸自然耳熟能詳，但是隨著電路圖形的不斷縮小，各種新的技術(shù)和材料、甚至晶體管本身的結(jié)構(gòu)也發(fā)生著變化。為了方便大家參考了解，我特地查找資料并咨詢行業(yè)專(zhuān)家，整理了一個(gè)制造工藝演進(jìn)表歡迎大家參考和分享由于個(gè)人能力和知識(shí)有限，加上數(shù)據(jù)整理時(shí)間倉(cāng)促，數(shù)據(jù)中難免存在各種錯(cuò)漏，希望有識(shí)之士看到以后，給予我反饋建議特此感謝，在該數(shù)
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氮化鎵快充十大發(fā)展趨勢(shì)前瞻！

氮化鎵（GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比舊的傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)快20倍，并且可以為*的快速充電器產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)三倍的功率提升，同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)現(xiàn)有產(chǎn)品。在相同大小的情況下，輸出功率增加三倍。正是由于這些性能優(yōu)勢(shì)，GaN在消費(fèi)快速充電源市場(chǎng)中具有廣泛的應(yīng)用。充電頭網(wǎng)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，數(shù)十家主流電源制造商已經(jīng)開(kāi)辟了氮化鎵快速充電產(chǎn)品線，并推出了數(shù)百種新型氮化鎵快速充電產(chǎn)品。此外，截至2020年，充電頭網(wǎng)絡(luò)還拆除了近一百種GaN快速充電產(chǎn)品，為電源工程師的參考選擇提供
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整流橋+TVS集成封裝都有哪些用途

Ø“整流橋+TVS”集成封裝=TVS橋即把不同規(guī)格TVS（瞬態(tài)二極管）集成在整流橋里的一種新型器件。 TVS橋的特點(diǎn)：為滿足北美能源之星認(rèn)證而設(shè)計(jì)，能過(guò)2.5kV振鈴波省一個(gè)器件，Layout空
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來(lái)看看最近卡脖子的汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)鏈全景圖（車(chē)規(guī)級(jí)芯片）

近日網(wǎng)絡(luò)盛傳"歐美*停供中國(guó)汽車(chē)芯片"的消息，據(jù)稱(chēng)歐美政府正在起草一份方案報(bào)告，美國(guó)和歐洲的半導(dǎo)體制造商，全部停止向中國(guó)汽車(chē)廠家提供芯片。在消耗完現(xiàn)有的存量后，中國(guó)汽車(chē)將進(jìn)入大面積停產(chǎn)狀態(tài)。這或再次掀開(kāi)了中國(guó)半導(dǎo)體“芯片之殤”的傷疤。中國(guó)自主品牌98%以上的車(chē)載半導(dǎo)體來(lái)自于歐美供應(yīng)商，在貨源受限的情況下，將進(jìn)入無(wú)限期停產(chǎn)狀態(tài)。部分自主品牌不得不修改車(chē)載半導(dǎo)體的標(biāo)準(zhǔn)，改用1990-2000年代的淘汰產(chǎn)品。中國(guó)各大汽車(chē)制造商的產(chǎn)能規(guī)劃接近6000萬(wàn)輛，占全球汽車(chē)總產(chǎn)量的比重超
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碳化硅、氮化鎵作為5G時(shí)代熱門(mén)半導(dǎo)體有什么差別？

人工智能（AI）、邊緣運(yùn)算與萬(wàn)物聯(lián)網(wǎng)趨勢(shì)，帶來(lái)無(wú)所不在的感測(cè)、通訊與功率解決方案需求，化合物半導(dǎo)體的重要性也隨之暴增。從資料中心里的服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備，到手機(jī)上的 RF 功率放大器，以及為所有電子元件供應(yīng)電力的功率元件，都將因化合物半導(dǎo)體的普遍運(yùn)用，在性能上出現(xiàn)重大突破。 5G通訊頻率高，能源效率更顯重要臺(tái)達(dá) 電資通訊基礎(chǔ)設(shè)施事業(yè)群技術(shù)長(zhǎng)蔡文蔭就指出，在萬(wàn)物聯(lián)網(wǎng)的未來(lái)，資料中心需處理的資料量將呈現(xiàn)爆發(fā)式成長(zhǎng)，連帶使得資料中心對(duì)電源、冷卻
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深度！SiC產(chǎn)業(yè)鏈全解析，不可錯(cuò)過(guò)

SiC是半導(dǎo)體領(lǐng)域最具成長(zhǎng)力的材料，預(yù)計(jì)到2028年市場(chǎng)增長(zhǎng)5倍。 SiC目前有兩大應(yīng)用市場(chǎng)，一是電動(dòng)車(chē)逆變器、充電樁、太陽(yáng)能發(fā)電、直流電網(wǎng)中取代硅基IGBT，二是以SiC基板（Substrate，大陸多稱(chēng)之為襯底，也有稱(chēng)之為blankraw wafer，空白晶圓）承載GaN做5G基地臺(tái)的RF功率放大。 SiC和GaN都是市場(chǎng)備受矚目的第三代半導(dǎo)體材料，*代是硅，第二代則是砷化鎵。第三代又稱(chēng)寬帶隙半導(dǎo)體。其最主要應(yīng)用就是功率電子領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體兩個(gè)最重要參數(shù)
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詳解汽車(chē)上的功率半導(dǎo)體

隨著汽車(chē)電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化等發(fā)展，汽車(chē)電子迎來(lái)結(jié)構(gòu)性變革大機(jī)會(huì)。在傳統(tǒng)燃料汽車(chē)中，汽車(chē)電子主要分布于動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)、車(chē)身、安全、娛樂(lè)等子系統(tǒng)中。按照功能劃分，汽車(chē)半導(dǎo)體可大致分為功率半導(dǎo)體（IGBT和MOSFET等）、MCU、傳感器及其他等元器件。對(duì)于新能源汽車(chē)而言，汽車(chē)不再使用汽油發(fā)動(dòng)機(jī)、油箱或變速器，“三電系統(tǒng)”即電池、電機(jī)、電控系統(tǒng)取而代之，新增DC-DC模塊、電機(jī)控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、高壓電路等部件。相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換及傳輸?shù)暮诵钠骷β拾雽?dǎo)體含量大大增加。因此從半導(dǎo)體種類(lèi)上看，傳
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小議碳化硅的國(guó)產(chǎn)化

隨著近年來(lái)美國(guó)對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重重禁運(yùn)封鎖廣泛報(bào)道，大家對(duì)第二代半導(dǎo)體中的硅基半導(dǎo)體，也已經(jīng)有很多了解。而今天，我們要談的，是下一代，即第三代半導(dǎo)體中的一種重要材料——碳化硅。碳化硅（SiC），與氮化鎵（GaN）、金剛石、氧化鋅（ZnO）等一起，屬于第三代半導(dǎo)體。碳化硅等第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能。用這種特性制造的電力或電子元件，體積更小、傳輸速度更快、可靠性更高，耗能更低，最高可以降低50%以上的能量損失，積減小
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