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mos管為何能夠得到各大廠商的廣泛認可，其又有何優勢

隨著mos管的面世，其得到不斷的發展，技術逐漸成熟，其逐漸在其領域占據了領軍地位。那么其有何優勢能夠使其有能力得到各領域的廣泛認可呢？它的輸入阻抗很高，在其工作時基本沒有噪音的產生，且具有熱穩定性。且其制造工藝也十分的簡單，因此其能夠被大規模甚至超大規模的繼承領域中運用，并穩定的發揮其作用。因此，mos管能夠得到大眾廣泛的認可。其次，mos管的在能夠保證其性能穩定的同時其功耗也很低，與此同時，其擁有很強的抗輻射能力。在集成電路中，已經逐漸有了能取代三級管的趨勢。其對電壓的控制方式也
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全球“缺芯”，國產化替代不樂觀專家稱產業鏈與供應鏈應并舉

讀創/深圳商報記者陳姝全球芯片供應緊張從去年蔓延至今年，從手機到汽車、游戲機、安防等行業無一幸免。4月9日，“首屆中國基礎電子元器件產業峰會”在第九屆“電博會”上舉行，業內專家圍繞基礎元器件產業在“十四五”時期的機遇，如何應對全球“缺芯”，國產化替代的路徑等問題展開討論。嘉賓們提出，芯片國產化必須產業鏈與供應鏈并舉，構建安全穩定的供應鏈依然任重道遠。峰會由中國電子展（CEF）組委會、深圳市電子信息產業聯合會主辦。政策利好，電子元器件迎發展機遇電子元器件包括電阻、電容、電感
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望2021之Cissoid：SiC在電動汽車的爆發之年

主編前言 2020年，我們共同經歷了新冠肺炎疫情全球大*，近200*悄然離去，尊重生命，尊重科學，團結抗疫成國際共識，武漢封城、長江洪水肆虐、澳洲叢林大火、非洲蝗蟲大災、納卡地區爆發惡戰等都歷歷在目，可以說，2020年是大災大難的一年；但這絕不是全部，2020年，我們也共同見證了亞太15國簽署RCEP區域自貿合作，提振*經濟信心，SpaceX實現*商業載人航天飛行，嫦娥五號任務取得圓滿成功，在*經濟遭受嚴重沖擊之際中國成為*實現正增長的主要經濟體。作為拉動經濟復
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零電壓開關ZVS電路原理與設計

零電壓開關(ZVS)/零電流開關(ZCS)技術，或稱軟開關技術，小功率軟開關電源效率可提高到80%~85%。20世紀70年代諧振開關電源奠定了軟開關技術的基礎。基本介紹 PWM開關電源按硬開關模式工作(開/關過程中電壓下降/上升和電流上升/下降波形有交疊)，因而開關損耗大。高頻化雖可以縮小體積重量，但開關損耗卻更大了。為此，必須研究開關電壓/電流波形不交疊的技術，即所謂零電壓開關(ZVS)/零電流開關(ZCS)技術，或稱軟開關技術，小功率軟開關電源效率可提高到80%~85%。20世紀70年代
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功率半導體5年近7倍空間，IGBT最受益

汽車功率半導體5年近7倍空間，IGBT最受益政策支持、節能減排雙重驅動，新能源汽車加速滲透，預計2025年國內新能源汽車滲透率將達到20%，2030年歐盟新能源汽車滲透率將達到40%。汽車電動化趨勢下車用功率半導體單車價值大幅提升。據英飛凌統計，功率半導體ASP將從傳統燃油車的71美元大幅提升至全插混/純電汽車的330美元，是傳統燃油車的4.6倍。根據我們的測算，預計2025年全球汽車功率半導體市場規模將達到80億美元，2025年全球新能源車用功率半導體市場規模將達到53億美元，是2020年的7.
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二極管在市場中占據著什么樣的地位

二極管一次，對于尋常百姓家可能會有些陌生。但是對于相關領域的人來講，可能是再熟悉不過了。它是一種由半導體材料制成的一種電子物件。哪怕你沒有聽說過它，但是我們家中，有很多電器中都有它的存在。例如，小小的電視機遙控器，亦或者是高速運轉的電腦。甚至有些樓盤的樓頂也將其運用到了外觀的建設中來，利用其產生的五顏六色的光芒來吸引人們的注意。在這個人人低頭族的時代中，一部分年輕人為追趕時代的潮流，不斷的更換最新款的手機，而因此推動了手機行業的飛速發展。設計師也不斷的追求手機的各方面性能，力求其*。而人
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MOSFET Q2繼續*，“芯荒”難解，照明、小家電、充電樁推高需求

當前，全球正陷入半導體供需失衡的狀態，波及范圍之廣，影響程度之深可以說是非常罕見的。而目前來看，這種供需失衡的狀態短時間內并沒有太多緩解的跡象，以MOSFET為例，臺系MOSFET大廠大中日前表示，目前不論晶圓代工、封測產能都供給緊張，且不僅有晶圓代工*，就連封測廠也調漲報價，使成本不斷上升，且這種缺貨狀況至少延續到年底。有供應鏈相關人士透露，最快大中將在第二季度開始調漲報價，漲幅有機會達到兩位數水平。一旦大中開漲，有可能將帶動其他MOSFET從業者一同跟漲，再次掀起MOSFET供應鏈*潮
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場效應管在各個領域扮演著什么樣的角色

場效應管的工作原理聽起來其實十分的簡單，它追求自己能夠在幾乎絕緣的狀態下電流很難流動，因此產生巨大的能量供給，將產生的能量合理的利用于各個領域當中。且提到場效應管，那人們一定會想到柵極電壓，它們兩個總是有著各種各樣的關聯。通過利用晶體管來對電流進行強有力的控制，因此來決定輸出電流流量的大小，因此來影響電壓的強弱，來解決了大功率電器無法使用的這一難題。這樣以來，高電流，高電壓不會再是小小零件無法承受的因素了。且剛開始時，這項技術被人們廣泛的運用在高科技領域當中來，尤其是電子行業。因為
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良率90%，成本僅為硅器件的1.5倍！碳化硅將革IGBT的命？

最近，某碳化硅企業在線上活動透露，6寸碳化硅晶圓的價格為2-3萬元/片，可以做成350-700顆車規級SiC Mosfet。目前碳化硅器件價格大約是硅器件的4-5倍。有機構預測，2025年碳化硅器件的價格有望低至硅器件的1.5倍左右，但如何才能做到？ “三代半風向”發現，不久前，北卡羅來納州立大學（NCSU）公布了一項碳化硅技術的最新進展，目標恰巧是要將碳化硅的價格降低至僅為硅晶圓的1.5倍。據介紹，這項技術可以幫助企業降低進入碳化硅領域的門檻，最終實現代工廠共享、工藝共享，從而無需耗費時間和財
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中國曾經的光刻機研發與徐端頤

如今，芯片已進入了人類現代社會的方方面面，大到飛機艦船、衛星火箭，小到人們手中的手機、“隨身聽”，都離不開芯片。隨著以美國為首的*對華為公司的打壓，“光刻機”成了網絡熱搜詞，談論光刻機的文章鋪天蓋地。真實的情況是：中國不僅曾經研制出國際*水平的光刻機，而且是在外界封鎖禁運的情況下獨立研發制造，擁有完整知識產權。人們更不會知道，中國光刻機的研發制造，與一位貴州籍的科學家徐端頤密切相關。 1955年，從貴陽一中高中畢業的徐端頤以優異成績考入清華大學，1961年從清華精密儀器系畢業后留校任教。
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