2022-03-17
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場效應晶體管（FET）是利用電場效應控制電流的單極半導體器件。它具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點。它被應用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。 場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。 在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去
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