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貼片二極管是什么？

貼片二極管是什么？ ??它是一種單向傳導(dǎo)電流的電子器件。半導(dǎo)體二極管中有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)引線端子。這種電子器件根據(jù)施加電壓的方向進(jìn)行單向電流轉(zhuǎn)換。一般來說，貼片二極管是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體燒結(jié)而成的p-n結(jié)界面。在界面兩側(cè)形成空間電荷層，形成自建電場。當(dāng)外加電壓等于零時(shí)，p-n結(jié)兩側(cè)載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流等于自建電場引起的漂移電流，這也是正常的二極管特性。 ??貼片二極管的管壓降：硅二極管(不發(fā)光型)的正向管壓降為0.7V，鍺管的正向管壓降為0.3V，發(fā)光二極管的正向管壓降隨發(fā)
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場效應(yīng)管的工作原理

場效應(yīng)管的工作原理 ??場效應(yīng)管是一種場效應(yīng)晶體管。少數(shù)載流子的熱傳導(dǎo)也稱為多極結(jié)晶體管。屬于壓控半超導(dǎo)體零件。具有輸出電阻高(10^8~10^9Ω)、低噪聲、低功耗、靜態(tài)范圍大、易集成、無二次擊穿景象、保險(xiǎn)任務(wù)海域廣等優(yōu)點(diǎn)。雙極結(jié)型晶體管和功率結(jié)型晶體管已經(jīng)成為更強(qiáng)的合作伙伴。 ??場效應(yīng)管特性 ??*，F(xiàn)ET是電壓控制器件，通過VGS(柵源電壓)控制ID(漏極DC)； ??第二，場效應(yīng)管的輸出DC電極很小，所以它的輸出電阻很大。 ??三是利用少數(shù)載流子導(dǎo)熱，所以測量穩(wěn)定性更好；
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場效應(yīng)管和MOS管有什么區(qū)別嗎？

場效應(yīng)管和 MOS管有什么區(qū)別嗎？ ??場效應(yīng)管一般分為MOS場效應(yīng)管和結(jié)型場效應(yīng)管。目前主要使用的是MOS場效應(yīng)管，俗稱 MOS管。MOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體的簡稱，即柵-二氧化硅-硅。JFET中的J代表Junction，即“結(jié)”，表示PN結(jié)的結(jié)。FET代表Field Effect Transistor，即場效應(yīng)管。 ??首先，主體不同 ??1.場效應(yīng)：V型槽金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。這是繼MOSFET之后新開發(fā)的高效功率開關(guān)器件。 ??2.MOS管：金屬-氧化物-半導(dǎo)
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為什么MOS管容易發(fā)熱？

為什么 MOS管容易發(fā)熱？ ??在設(shè)計(jì)電源或驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，不可避免地要用到FET，也就是俗稱的MOS晶體管。 MOS管的種類很多，功能也很多。使用電源或驅(qū)動(dòng)，當(dāng)然是利用它的開關(guān)功能。接下來我們來了解一下MOS管加熱的五大關(guān)鍵技術(shù)。 ??1.芯片加熱 ??本內(nèi)容主要針對內(nèi)置功率調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。如果芯片消耗的電流為2mA，施加300V的電壓，芯片的功耗為0.6W，肯定會(huì)導(dǎo)致芯片發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來源于驅(qū)動(dòng)功率MOS晶體管的消耗，簡單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=
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如何正確選擇mosfet場效應(yīng)管

如何正確選擇mosfet 場效應(yīng)管 ??場效應(yīng)晶體管廣泛應(yīng)用于模擬電路和數(shù)字電路，與我們的生活息息相關(guān)。場效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)是：*，驅(qū)動(dòng)電路相對簡單。場效應(yīng)管所需的驅(qū)動(dòng)電流比BJT的小得多，通常可以直接由CMOS或開路集電極TTL電路驅(qū)動(dòng)。場效應(yīng)晶體管的開關(guān)速度相對較快，由于沒有電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，可以以更高的速度工作。此外，場效應(yīng)管沒有二次擊穿失效機(jī)制，在較高溫度下的耐久性更強(qiáng)，熱擊穿的可能性更低，在更寬的溫度范圍內(nèi)也能提供更好的性能。場效應(yīng)已廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)等便攜式數(shù)字電子產(chǎn)品
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薩科微開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖基礎(chǔ)型介紹（5）

要適當(dāng)?shù)剡x擇拓?fù)?，熟悉不同拓?fù)涞膬?yōu)缺點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域非常重要。錯(cuò)誤的選擇會(huì)讓飲食設(shè)計(jì)從一開始就注定失敗。開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)大致給可總結(jié)為大概14種，其他的電源開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖無外乎是這14種的組合或變形，下面整理了兩種基礎(chǔ)型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖幫助系統(tǒng)掌握每種電路結(jié)構(gòu)的工作原理與基本特性。一、Half-Bridge 半橋特點(diǎn)： ■較高功率變換器極為常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 ■開關(guān)（FET）的驅(qū)動(dòng)不同相，進(jìn)行脈沖寬度調(diào)制（PWM）以調(diào)節(jié)輸出電壓。 ■*的變壓器磁芯利用率---
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薩科微關(guān)于基礎(chǔ)型開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖的介紹（4）

市場上開關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖是多種多樣的，但經(jīng)過總結(jié)整理不難發(fā)現(xiàn)，其實(shí)無非就只有14種，其他的無外乎是這14種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖的組合或變形，接下來給大家分享兩種開關(guān)電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖。一、Forward 正激特點(diǎn)： ■降壓電路的變壓器耦合形式。 ■不連續(xù)的輸入電流，平滑的輸出電流。 ■因?yàn)椴捎米儔浩?，輸出可以大于或小于輸入，可以是任何極性。 ■增加次級(jí)繞組和電路可以獲得多個(gè)輸出。 ■在每個(gè)開關(guān)周期中必須對變壓器磁芯去磁。常用的做法是增加一個(gè)與初級(jí)繞組匝數(shù)相同的繞組
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MOS管和三極管的功能差異

MOS管和三極管的功能差異 ??MOS晶體管和三極管？的功能區(qū)別是什么這兩個(gè)元件本身可以看作是一個(gè)基本單元和一個(gè)獨(dú)立的器件。即使把外殼拆開，肉眼也看不出有什么區(qū)別，從工作原理上理解起來很混亂。 ??如果你用手同時(shí)觸摸 MOS管的G極(柵極)和正電源極，LED燈就會(huì)發(fā)光，即使你松開手，它也會(huì)繼續(xù)發(fā)光。至于為什么會(huì)出現(xiàn)這種情況，可以簡單理解為當(dāng)G極的電位升高時(shí)，D極(漏極)和S極之間會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)電通道(源極)，相當(dāng)于一根導(dǎo)線。 ??導(dǎo)通時(shí)D極和S極之間的壓降也可以用萬用表量，計(jì)算，壓降接近
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什么是MOS管？MOS管的功能和特點(diǎn)又是什么呢?

什么是 MOS管？ MOS管的功能和特點(diǎn)又是什么呢? ??MOS場效應(yīng)晶體管通常簡稱為場效應(yīng)管，是一種基于場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。與普通雙極型晶體管相比，F(xiàn)ET具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗低、易于集成等特點(diǎn)，得到了越來越廣泛的應(yīng)用。 ??場效應(yīng)管 ??場效應(yīng)晶體管有很多種，主要分為結(jié)型場效應(yīng)晶體管和絕緣柵場效應(yīng)晶體管，它們都有N溝道和P溝道。 ??柵極場效應(yīng)管又稱金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱MOSFET，分為耗盡型MOS晶體管和增強(qiáng)型MOS晶體管。 ??場效應(yīng)晶體
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薩科微基礎(chǔ)型電源開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖分享（3）

開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖千變?nèi)f化，但不管如何變化基本是基于基礎(chǔ)型電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖的組合或變形，基礎(chǔ)型開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖歸納起來基本是14種，接下來就個(gè)大家做一下介紹。二、基本的脈沖寬度調(diào)制波形這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都與開關(guān)式電路有關(guān)，基本的脈沖寬度調(diào)制波形定義如下：八、Two-Transistor Forward雙晶體管正激特點(diǎn)： ■兩個(gè)開關(guān)同時(shí)工作。 ■開關(guān)斷開時(shí)，存儲(chǔ)在變壓器中的能量使初級(jí)的極性反向，使二極管導(dǎo)通。主要
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