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四個氮化鎵在新應用領域下的機遇！

2021年，隨著5G、消費電子、工業能源轉換和新能源汽車需求的增加，基站、換能器和充電站的需求將大幅增加，對氮化鎵和碳化硅饋線的需求將增加。據 TrendForce集邦咨詢研究顯示，GaN功率元件至2025年市場規模將達 13.2億美元，年復合成長率高達 94%。新應用下，氮化鎵的“革命”！與硅相比，GaN 具有寬帶隙、高電子飽和率、高擊穿場電場以及較低的傳導損耗和 EMF 特性。 GaN能源主要用于消費產品、新能源汽車、通信和數據中心。在碳達峰、碳中和的背景下，氮
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IGBT場效應管的工作原理和檢測方法

IGBT場效應管的工作原理和檢測方法 IGBT，又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管(BJT)和絕緣柵場效應晶體管(MOS)組成的復合全控電壓驅動功率半導體器件。它的輸入是MOSFET，輸出是PNP晶體管。因此，它可以被視為金屬氧化物半導體輸入的達林頓晶體管。它結合了MOSFET高輸入阻抗和GTR低導通壓降的優點，具有易驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高(10-40hz)等特點。它已逐漸取代晶閘管和門極關斷晶閘管(GTO)，是目前發展最快的新一代電力電子器件。廣泛應用于小體積高效
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IGBT單管和MOS管有哪些區別呢？

IGBT單管和MOS管有哪些區別呢？怎么區別IGBT單管和MOS管呢？我們可以從以下三點進行分析。 1.結構上，以n型溝道為例，IGBT與MOS管的區別在于MOS管的襯底為n型，IGBT的襯底為p型。2.原則上， IGBT相當于 MOS管和雙極器件的組合。背面P型層的空穴注入降低了器件的導通電阻，但同時也會引入拖尾電流等問題。 3.從產品來看， IGBT一般用于高壓電源產品，從600伏到幾千伏不等； MOS管的應用電壓相對較低，從10伏到1000伏左右。公司電話
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薩科微分享比較常見的開關電源拓撲圖（2）

開關電源拓撲圖，作為電子工程師來說應該并不陌生，比較常見的基礎型拓撲圖大約14種，每種都有自身的特點和適用場合。另外還有更多的拓撲結構圖大多也是這些基礎型的組合或變形。以下分享兩種比較常見的，了解下它們電路結構的工作原理與基本特性。一、Buck 降壓特點： ■把輸入降至一個較低的電壓 ■可能是最簡單的電路 ■電感/電容濾波器濾平開關后的方波 ■輸出總是小于或等于輸入 ■輸入電流不連續 (斬波) ■輸出電流平滑二、Buck-Boos
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薩科微比較常見開關電源拓撲結構介紹（一）

什么是拓撲？所謂電路拓撲，就是電路中功率器件和電磁元件的連接方法，而磁性元件的設計、閉環補償電路的設計以及其他所有電路元件的設計都依賴于拓撲。最基本的拓撲有降壓（buck）、升壓（boost）和降壓/升壓（boost/buck）、非對稱反激（isolated flyback）、正向、推挽、半橋和全橋變換器。開關電源拓撲有大約14種常見的拓撲，每一種都有自己的特點和適用場合。選擇的原則是看是大功率還是小功率，是高壓還是低壓輸出，元器件是否盡量少。因此，要適當地選擇拓撲，熟
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場效應管放大電路設計

1、測量場效應管輸入電阻時，應考慮哪些因素。 DA）由于場效應管輸入電阻較高，一般可達10M以上，所以在測量時一定要使用高內阻表測量，注意預防靜電擊穿柵極，并要注意對外界信號隔離，以防感應信號的寄生在測量回路中，影響測量。 2、為什么場效應管輸入端的耦合電容一般只要0。02uf左右？ DA）耦合電容的大小是和輸出、輸入電阻有關，因為場效應管的輸入電阻高，所以一般使用到0.01-0.02uF就夠了（這和50年代的電子管很象） 3、為什么場效應管放大器放大倍數一般沒有晶體管的電壓放大倍
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場效應管的作用是什么？

場效應管用在電路中一般起什么作用? 場效應管是電壓控制器件，場效應管的漏源極之間的距離相當于一個電阻，所以電路中使用的場效應管通常起到電壓控制電阻的作用，即電壓控制電流。具體來說，一是制造像BJT那樣的高速電子開關，例如電磁爐，二是進行放大等模擬控制。具體來說，您可以閱讀有關模擬電子技術的書籍。一般情況下，用作高頻開關來開啟和關閉電路。最常見的功能是將直流電轉換為交流電，但不僅限于此。場效應管，起什么作用場效應管和三極管作用一樣，是起放大作用的，不過場效應管的輸
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醉的局——暨川渝電子人聯誼會前奏曲

做出人生*筆1萬元的公益投資決定并打款后，剛到深圳華強北撈金的偉哥（恒利泰科技總經理黃偉）內心開始膨脹，他決定吹響外焦里嫩的號角，在望江樓組個500元的高端酒局，試一試成都荷花池的水盆能裝多少蒜。偉哥最壞的打算偉哥內心做好了最壞的打算，如果你們不給面子，那就別怪我渣渣哇哇的，投資款收回不說，貨款也不支付了，我看你們的MOS管，霍爾元件，可控硅，單片機，打火機，北斗天線，FPGA，TPS怎么找接盤俠？思考良久，偉哥給薩科微的主任打了電話：宋哥
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中國信息產業商會電子元器件應用與供應鏈分會ECAS第二屆理事會第四次會議圓滿結束

12月16日下午，中國信息產業商會電子元器件應用與供應鏈分會（ECAS）第二屆理事會第四次會議在深圳召開。分會理事長周繼國，副理事長馮偉、王玉成、葉德仁、劉紅兵、朱葉慶、李宏輝、陳智紅、劉杰、吳振洲、吳守農，理事楊林杰、梅華、李明駿、任武明等出席會議。分會秘書長熊宇紅主持會議。深圳市薩科微半導體有限公司總經理宋仕強先生受邀參加了此次會議。芯查查曹士成與薩科微總經理宋仕強近年來薩科微半導體SLKOR發展迅速，在繼續鞏固在功率器件市場的定位之余，也在在TVS瞬態抑制二極管、驅動
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P溝道增強型場效應管導通條件

P溝道增強型場效應管的導通條件是柵極電位低于漏極電位。柵極電位比漏極電位低得越多，就越趨于導通。一般低于漏極電位15V就可以完全導通。壓差太大就會形成柵極擊穿。想關閉就要把柵極電位拉回漏極。結型場效應管只有（耗盡型）；MOS管有（增強型）和（耗盡型）。增強型：就是UGS=0V時漏源極之間沒有導電溝道，只有當UGS>開啟電壓(N溝道)或UGS<開啟電壓(P溝道)才可能出現導電溝道。耗盡型：就是UGS=0V時,漏源極之間存在導電溝道。場效應管分為N溝
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