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喜訊金航標電子公司2021年銷售業績倍增

進入2021年以來，新冠疫情持續性肆虐。但是，深圳市金航標電子有限公司（www.bds666.com）在全體同仁的努力下，還是實現了業績翻倍的目標。金航標的兄弟公司薩科微半導體（www.skin-365.cn）有限公司，每個季度營業額達到了百分之40的復合型增長，實現了創始人宋仕強先生多年前規劃的金航標和薩科微兩家公司雙輪驅動的目標。金航標為什么能夠業績翻倍呢？“Kinghelm”品牌在北斗天線射頻連接線行業的也美譽度越來越高呢？總經理宋仕強先生認為，主要是做好了以下幾方面的工作。
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IGBT電源模塊

IGBT電源模塊 ?? IGBT功率模塊是由絕緣柵雙極晶體管(IGBT)組成的功率模塊。 ??由于IGBT模塊為mosfet結構，IGBT的柵極通過氧化膜與發射極電隔離，具有優異的器件性能。廣泛應用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領域。 ??IGBT是一種先進的第三代功率模塊，工作頻率為1-20khz，主要用于變頻器的主回路逆變器和所有逆變電路，即dc/ac轉換。例子包括電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。至今已有十幾年的歷史，幾乎取代了其他所有功率器件，如scr.
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什么是IGBT？

什么是 IGBT？ ?? IGBT是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙極晶體管。 ??在功能上，IGBT是一個電路開關，其優點是電壓控制，低飽和壓降和高耐壓。用于電壓幾十到幾百伏，電流幾十到幾百安培的高壓。此外，IGBT由計算機控制，沒有機械按鈕。因此，有了IGBT開關，就可以設計出一種電路，由計算機控制，將交流電源變成給定電壓下的DC電源，或將各種電變成所需頻率的交流電源，供負載使用。這種電路統稱為轉換器。 ??IGBT(絕
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IGBT模塊是如何進行導通的？

IGBT模塊是如何進行導通的？ ?? IGBT硅片的結構與功率MOSFET非常相似。主要區別是IGBT增加了P襯底和N緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術不增加這部分)。一個MOSFET驅動兩個雙極性器件。襯底的應用在管的P和N區域之間產生了J1結。當正柵極偏置使柵極下的P-基區反轉時，形成N溝道，同時出現電子電流，完全以功率MOSFET的方式產生電流。 ??如果這個電子流產生的電壓在0.7V的范圍內，那么J1會正向偏置，一些空穴會注入到N區，調整陽極和陰極之間的電阻率，減少了功率傳導的總損
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IGBT及MOSFET隔離驅動有哪些？

IGBT及MOSFET隔離驅動有哪些？ ?? IGBT和MOSFET隔離驅動是可靠的驅動絕緣柵器件，目前已經有很多成熟的電路。當不需要將驅動信號與功率器件隔離時，驅動電路的設計相對簡單，目前有很多優秀的驅動集成電路。 ??1. 光耦合器隔離驅動器 ?? 光耦合器的優點是體積小，缺點是：a、反應慢，所以延遲時間長(高速光耦合器一般都在300ns以上)；光電耦合器的輸出級需要隔離的輔助電源。 ??2.無源變壓器驅動 ??用脈沖變壓器隔離驅動絕緣柵功率器件有三種方式：無源、有源和自供電驅動。
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IGBT模塊的開關損耗和性能有什么關系？

IGBT模塊的開關損耗和性能有什么關系？ ??在 IGBT的發展中，要求功率開關器件減少損耗，提高效率，改善性能。開關器件的損耗可以分為兩類，一類是導通狀態正常(on-state)的器件損耗；另一個是從導通狀態到關斷狀態(從關斷狀態到導通狀態)的開關損耗。IGBT的主要技術特性是集電極-發射極飽和電壓VCE(sat)特性和開關特性tf(關斷時間toff和導通時間ton之和)。IGBT的擊穿性能取決于阻塞性能、短路性能、di/dt和dv/dt性能。 ??(1)改善開關特性的技術 ??為改善開
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電磁爐中IGBT的工作電壓為什么要選擇1200V電壓規格？

電磁爐中 IGBT的工作電壓為什么要選擇1200V電壓規格？ ??220V市電的波動范圍是5%，加10%保險系數，為15%，220 X115%=253V，一般用265V交流電。經過整流濾波后，直流電壓就是公式圖×265= 374V。 ??在電磁爐中， IGBT的負載是鍋底的線圈，它是一個感應器。當IGBT斷開時，線圈兩端將產生感應電壓，該感應電壓等于電源電壓并疊加在電源電壓上。此時，IGBT耐受的電壓就是374×2=748V。 ??雖然體二極管在I
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隔離驅動IGBT是什么功率器件？

隔離驅動IGBT是什么功率器件？關于隔離驅動 IGBT功率器件，你了解多少呢？像IGBT這樣的功率器件，需要有充分的保護，避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應，過載，短路等造成的損害。那么隔離驅動IGBT是什么功率器件呢？ ??1.有哪些故障保護功能？它們都集成在隔離驅動器中嗎？ ??所有三種故障保護功能都集成到Avago高度集成的柵極驅動器ACPL-33xJ -UVLO(避免在VCC2電平不足時開啟IGBT)、DESAT(防止IGBT過流或短路)和米勒箝位(防止寄生米勒電容導致I
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使用IGBT驅動器需要注意什么？

使用 IGBT驅動器需要注意什么？ ??近年來， IGBT這種新型的功率開關器件逐漸被人們所認識。與以往的電力電子器件相比，IGBT目前綜合性能優勢明顯，越來越多地應用于工作頻率在幾十千赫、輸出功率在幾千瓦至幾十千瓦的各種功率轉換器件。但是在IGBT的使用過程中，發現了很多影響IGBT推廣使用的問題，其中之一就是IGBT驅動電路的合理選擇。下面就來說說使用IGBT驅動時應該注意的一些問題。 ?? 二極管V6的選擇非常重要。它一定是一個快速的二極管，它的反向耐壓至少應該和IGBT一樣，它的正
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什么是雙向IGBT？

什么是雙向 IGBT？ ??雙向 IGBT是業界針對常規IGBT在各種應用中的一些不足而提出的一種新型五層四段結構的雙向IGBT功率半導體器件。其核心是采用基于平面門IGBT的對稱機構和雙向輸入控制方法，達到新裝置雙向控制的目的。雙向IGBT模塊是實現高頻矩陣變換器的一種非常有效的方法。與硬開關脈寬調制轉換器略有不同，矩陣轉換器中的開關和傳導損耗取決于所選的調制策略。 ??雙向IGBT可以實現雙向導通和雙向阻斷，其正向和反向阻斷電壓可以達到同一水平，更適合矩陣變換器。可以節省兩個二極管。從
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