2023-02-27
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本篇行業研究由沃衍資本投研部出品 近來，氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導體”材料，得到了持續關注。超寬禁帶半導體也屬于“第四代半導體”，與第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比，氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV，更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的能量從價帶躍遷到導帶，因此氧化鎵具有耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等特性。并且，在同等規格下，寬禁帶材料可以制造die size更小、功率密度更高的器件，節省配套散熱和晶圓面積，進一步降低成
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