光刻工藝中g(shù)線、i線、DUV、EUV是什么意思？

老虎說芯|Tiger Chip|

2025-04-02 21:59:08 695

不同波長的光源各自對應(yīng)不同的技術(shù)節(jié)點(diǎn)和制造需求。從早期的 g線、i線到目前主流的 KrF、ArF 再到最*的 EUV，每一次升級(jí)都展現(xiàn)了更高分辨率和更先進(jìn)的工藝水平。隨著對器件尺寸不斷逼近物理極限，EUV及其后續(xù)升級(jí)版本將持續(xù)發(fā)展。

但需注意，EUV設(shè)備昂貴、維護(hù)復(fù)雜，加之掩模技術(shù)、襯底材料以及光刻膠等配套環(huán)節(jié)都需要同步提升。因此，產(chǎn)業(yè)界對多重曝光、混合工藝（ArF與EUV 結(jié)合）等靈活的過渡方案也有廣泛需求。未來，或許還有其他更短波長甚至基于電子束等新技術(shù)的突破，但要實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，仍有很多工程與成本難題需要逐步攻克。

一、背景與重要性

在芯片制造過程中，光刻被認(rèn)為是決定集成電路集成度的核心工序，其核心目標(biāo)是將設(shè)計(jì)好的微納級(jí)電路圖形“轉(zhuǎn)印”到襯底（通常是硅片）上。隨著對芯片小型化與性能提升的追求愈發(fā)迫切，光刻分辨率也不斷演進(jìn)。而分辨率能否進(jìn)一步提升，很大程度上取決于所采用的光源波長——波長越短，潛在的分辨率越高，因此也能滿足更先進(jìn)、更精細(xì)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)需求。

二、光源波長與技術(shù)節(jié)點(diǎn)的對應(yīng)關(guān)系

1. 紫外光（汞燈）

g線（436 nm）

對應(yīng)技術(shù)節(jié)點(diǎn)：≥0.5 μm
適用場景：早期集成電路制造或?qū)€寬要求不高的器件。
特點(diǎn)：工藝穩(wěn)定成熟，設(shè)備成本相對較低，但無法滿足深亞微米級(jí)別的線寬需求。

i線（365 nm）

對應(yīng)技術(shù)節(jié)點(diǎn)：0.35～0.25 μm
適用場景：比 g 線更先進(jìn)一代的紫外光刻技術(shù)，廣泛用于 0.35 μm 及 0.25 μm 等時(shí)代節(jié)點(diǎn)。
特點(diǎn)：曾是大規(guī)模生產(chǎn)的主流方案，但目前在更高端領(lǐng)域已基本被深紫外工藝取代。

2. 深紫外線（DUV）

KrF（248 nm）

對應(yīng)技術(shù)節(jié)點(diǎn)：0.25～0.13 μm
適用場景：深入亞微米領(lǐng)域的主流光刻技術(shù)，推動(dòng)集成電路制程進(jìn)入 0.13 μm 門檻。
特點(diǎn)：相比 i 線進(jìn)一步縮短的波長提高了光刻分辨率，實(shí)現(xiàn)了單層、多層掩模曝光等工藝。

ArF（193 nm / 浸沒式 193 nm）

對應(yīng)技術(shù)節(jié)點(diǎn)：0.13 μm～7 nm
適用場景：從 0.13 μm 一路延伸到更小的幾十納米乃至數(shù)納米級(jí)別，業(yè)內(nèi)大量高端制程都依賴 ArF 結(jié)合浸沒式曝光及多重曝光工藝。
特點(diǎn)：193 nm 光源結(jié)合浸沒式技術(shù)可“變相”增加曝光系統(tǒng)數(shù)值孔徑（NA），再疊加雙重/多重曝光等方法，使其覆蓋極為寬泛的節(jié)點(diǎn)范圍。當(dāng)前不少先進(jìn)工廠在 7 nm 或 10 nm 制程中仍在使用 ArF 浸沒式光刻與多重曝光的組合。

F?（157 nm）

對應(yīng)技術(shù)節(jié)點(diǎn)：尚未產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用
適用場景：理論上可實(shí)現(xiàn)高分辨率，但在材料、光學(xué)系統(tǒng)、成本等層面遇到瓶頸，未能大規(guī)模投入生產(chǎn)。
特點(diǎn)：曾被視為下一代深紫外光刻的潛力方案，但由于面臨諸多技術(shù)挑戰(zhàn)，被 EUV 技術(shù)在一定程度上替代。

3. 等離子體極紫外線（EUV）

EUV（13.5 nm）

對應(yīng)技術(shù)節(jié)點(diǎn)：7 nm/5 nm 及以下
適用場景：用于最前沿的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)（7 nm、5 nm 乃至 3 nm、2 nm），是高性能處理器與先進(jìn)存儲(chǔ)芯片的關(guān)鍵工藝之一。
特點(diǎn)：波長遠(yuǎn)短于 DUV，但對光學(xué)系統(tǒng)、真空環(huán)境、掩模以及光源生成方式的要求極高，設(shè)備及運(yùn)營成本昂貴。EUV 光源的引入極大減少了多重曝光需求，有利于簡化工藝流程并提高整體良率。

三、光源波長與分辨率的基本原理

光刻分辨率通常可用類似瑞利準(zhǔn)則（Rayleigh Equation）來進(jìn)行量化，簡化后的表達(dá)式為：

其中， λ lambda 為光源波長，NA（數(shù)值孔徑）為光學(xué)系統(tǒng)性能的表征。波長越短，能夠成像的最小線寬就越小；同時(shí)，如果通過浸沒式光刻工藝增大 NA，也可以進(jìn)一步降低分辨極限。
基于這一原理，產(chǎn)業(yè)界為了實(shí)現(xiàn)更細(xì)微的線寬，不斷朝更短波長發(fā)展：從傳統(tǒng)的 g線、i線過渡到 KrF、ArF，再到 EUV。這也就是光源種類與技術(shù)節(jié)點(diǎn)之間呈明顯“匹配”或“對應(yīng)”關(guān)系的根本原因。

四、影響光源選擇的其他因素

光刻機(jī)系統(tǒng)復(fù)雜度
：波長越短，往往需要更高質(zhì)量的光學(xué)元件和更加復(fù)雜的曝光系統(tǒng)；對于 EUV 而言，更是要求在真空環(huán)境下工作，整體光源功率、耐用度等都是挑戰(zhàn)。
材料與光刻膠
：不同波長下，光刻膠需要滿足特定的吸收/透過特性，工藝窗口差異顯著。
工藝成本
：更先進(jìn)的光刻機(jī)價(jià)格和維護(hù)成本都會(huì)顯著提升，需要評估量產(chǎn)規(guī)模和芯片利潤空間。
多重曝光與工藝迭代
：對于同一種光源，通過多次曝光（雙重、三重等），可以在一定程度上突破單次曝光的物理極限。例如 ArF 浸沒式光刻在多次曝光的輔助下也可支撐到 7 nm，甚至部分 5 nm。

五、簡要類比：燈光與聚焦

可以將光刻理解為“用燈光在膠片上印出極細(xì)的圖案”——如果“燈”發(fā)出的光束很“粗”（波長長），那能印出清晰小圖案的能力就有限；如果使用一種“更精細(xì)”的光（波長短），在相同的“鏡頭”協(xié)助下，就能拍到更加細(xì)膩的“照片”。在半導(dǎo)體工藝中，燈光、相機(jī)鏡頭和膠片分別對應(yīng)光源、光學(xué)成像系統(tǒng)和光刻膠/硅片表面。

六、總結(jié)與展望

總的來說，光源波長是決定半導(dǎo)體光刻分辨能力與技術(shù)節(jié)點(diǎn)能否順利推進(jìn)的關(guān)鍵因素。隨著波長不斷縮短與對應(yīng)光學(xué)技術(shù)的革新，芯片線寬得以持續(xù)縮減，推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)向更高性能、更低功耗和更高密度的方向演進(jìn)。

免責(zé)聲明：本文采摘自“老虎說芯”，本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn)，不代表薩科微及行業(yè)觀點(diǎn)，只為轉(zhuǎn)載與分享，支持保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，轉(zhuǎn)載請注明原出處及作者，如有侵權(quán)請聯(lián)系我們刪除。

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