為什么英偉達(dá)芯片需要微通道冷卻技術(shù)

2025-08-14 10:13:36 267

微通道冷卻技術(shù)背景：英偉達(dá)高性能芯片（如H100、B200）在AI訓(xùn)練與推理中功耗高達(dá)700瓦以上，傳統(tǒng)風(fēng)冷或常規(guī)水冷已難以滿足其散熱需求。微通道冷卻通過在封裝或散熱結(jié)構(gòu)內(nèi)集成微米級通道，讓冷卻液貼近芯片核心熱源，大幅降低熱阻，提高熱流密度處理能力。相比傳統(tǒng)方案，微通道冷卻能更高效地帶走熱量，保障芯片在高負(fù)載下持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行，是應(yīng)對高密度計算時代熱管理挑戰(zhàn)的重要手段。

1. 為什么要用微通道冷卻？

集成電路，特別是高性能CPU、GPU、AI加速器、ASIC，功耗密度（W/mm2）已經(jīng)非常高，傳統(tǒng)的風(fēng)冷、熱管、甚至常規(guī)水冷都快頂不住了。

問題的本質(zhì)：

熱量產(chǎn)生在硅片上某幾個熱點(diǎn)區(qū)域，但是散熱路徑長（芯片→封裝→TIM→散熱器→空氣/水）。
每一層界面（比如TIM、焊料、封裝材料）都會增加熱阻，使得芯片溫度升高。
單純靠“加大水冷塊體積”或“增加風(fēng)扇”效果有限，尤其在1kW級別以上散熱需求時，傳統(tǒng)方案無法滿足。

于是，微通道冷卻被提出——它的核心思路是：

把冷卻液直接引入離熱源最近的位置，通過在芯片或封裝上蝕刻微米級的冷卻通道，讓液體在微通道里流動，直接帶走熱量。

2. 微通道冷卻的結(jié)構(gòu)是怎樣的？

可以這么理解：

在芯片頂部或封裝蓋板上，做出一組寬度幾十~幾百微米、深度幾十到幾百微米的流道（想象成一組非常細(xì)的“水渠”）。
這些微通道內(nèi)部讓冷卻液（水、冷卻油、甚至氟化液）流過，直接沖刷發(fā)熱區(qū)域。
上方會有一個金屬蓋板（常用銅、不銹鋼）封住微通道，形成一個密閉的“冷板”。
冷卻液通過進(jìn)出口直接與外部循環(huán)系統(tǒng)連接，實(shí)現(xiàn)高效換熱。

可以類比：傳統(tǒng)水冷是在散熱器上繞水管，而微通道冷卻是把“水管”直接做到芯片表面，熱源和冷卻劑的接觸距離大大縮短。

3. 為什么效率高？

關(guān)鍵點(diǎn)：縮短了導(dǎo)熱路徑 + 增加了換熱面積。

短路徑：傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中，熱要經(jīng)過硅片、TIM、IHS（封裝蓋）、導(dǎo)熱膠/焊料、冷板，熱阻很大；微通道直接把冷卻劑放在芯片或封裝上，減少中間環(huán)節(jié)。
大面積：微通道可以設(shè)計得非常密集（比如100個通道并行），液體接觸面積遠(yuǎn)超傳統(tǒng)平板換熱器，強(qiáng)化了對流換熱。
高流速：通道很窄，液體流動時雷諾數(shù)增加，湍流換熱更充分。

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，傳統(tǒng)冷板換熱系數(shù)是幾千W/(m2·K)，微通道能做到上萬甚至更高。

4. 還能做到“兩相冷卻”（液-氣共存）

如果僅靠液體升溫（顯熱），單位體積吸熱能力有限。
水在20℃→80℃加熱，吸熱量≈250 kJ/kg；
但如果讓水在通道里沸騰（液-氣兩相），則汽化潛熱≈2250 kJ/kg，吸熱能力提升了約7倍。

這就是為什么很多研究把微通道冷卻+相變（沸騰冷卻）結(jié)合，直接在通道內(nèi)控制液體部分汽化，以極大提高散熱能力。
難點(diǎn)：

如何控制氣泡生成位置和大小，避免阻塞通道？
如何設(shè)計合適的流量和壓力，防止局部干涸（dry-out）？
如何保證系統(tǒng)長期可靠（防腐蝕、防沉積）？

5. 實(shí)際應(yīng)用與挑戰(zhàn)

應(yīng)用方向：

高性能CPU/GPU：英特爾的實(shí)驗(yàn)性原型機(jī)已經(jīng)把微通道冷卻集成在封裝上，散熱能力突破1kW。
AI芯片/ASIC：數(shù)據(jù)中心級芯片對散熱要求極高，傳統(tǒng)液冷難以滿足，微通道是熱門方向。
功率器件：如IGBT、激光器、射頻放大器，也有采用微通道方案。

工程挑戰(zhàn)：

制造工藝復(fù)雜：微通道需要精密蝕刻或微銑削，成本和良率要控制。
液體密封與可靠性：微通道很細(xì)，堵塞和泄漏風(fēng)險高。
維護(hù)困難：一旦通道堵塞或腐蝕，很難修復(fù)。
系統(tǒng)集成：需要和泵、管路、冷卻液管理系統(tǒng)一體化設(shè)計。

6. 一句話總結(jié)

微通道冷卻，就是把“冷卻液管道”做到離芯片最近的地方，用微米級通道大幅提升傳熱能力，甚至引入沸騰換熱，實(shí)現(xiàn)更高的散熱極限。
它能讓高性能芯片在極端功耗下保持穩(wěn)定，但設(shè)計和制造門檻很高，需要封裝、流體、材料多學(xué)科協(xié)同。

免責(zé)聲明：本文采摘自“老虎說芯”，本文僅代表作者個人觀點(diǎn)，不代表薩科微及行業(yè)觀點(diǎn)，只為轉(zhuǎn)載與分享，支持保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)，轉(zhuǎn)載請注明原出處及作者，如有侵權(quán)請聯(lián)系我們刪除。

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