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2022-03-17 08:48:30 5

華潤(rùn)微、新潔能、揚(yáng)杰、捷捷這些的IGBT實(shí)力？

功率半導(dǎo)體行業(yè)情況預(yù)測(cè)2025年國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體500億市場(chǎng)，目前國(guó)產(chǎn)化滲透率很低。預(yù)測(cè)未來(lái)整個(gè)功率三大塊：汽車、光伏、工控。還有一些白電、高壓電網(wǎng)、軌交。
（1）工控市場(chǎng)：國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體2018年以前主要還是集中工控領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)規(guī)模100億；（2）車載新能源車市場(chǎng)：2025年預(yù)測(cè)電動(dòng)車國(guó)內(nèi)市場(chǎng)達(dá)到100-150億以上；2019-2020年新能源汽車銷量沒(méi)怎么漲，但是2020年10月開(kāi)始又開(kāi)始增長(zhǎng)，一輛車功率半導(dǎo)體價(jià)值量3000元，預(yù)測(cè)2021年國(guó)內(nèi)200萬(wàn)輛（60億市場(chǎng)空間），2025年國(guó)內(nèi)目標(biāo)達(dá)到500萬(wàn)臺(tái)（150億市場(chǎng)空間）。（3）光伏逆變器市場(chǎng)：從130GW漲到去年180GW。光伏逆變器也是迅速發(fā)展，1GW對(duì)應(yīng)用功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)額4000萬(wàn)元人民幣，所以，光伏這塊2020年180GW也有70多億功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)額。國(guó)內(nèi)光伏逆變器廠商占到全球60%市場(chǎng)份額（固德威、陽(yáng)光電源、錦浪、華為等）。
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Q：功率半導(dǎo)體景氣情況 A：今年的IGBT功率半導(dǎo)體*來(lái)自于：（1）新能源車和光伏市場(chǎng)對(duì)IGBT的需求快速增長(zhǎng)；（2）疫情影響，IGBT目前大部分仰賴進(jìn)口，而且很多封測(cè)都在東南亞（馬來(lái)西亞等），目前處于停擺階段，加劇缺貨狀態(tài)。（3）現(xiàn)在英飛凌工控IGBT交期半年、汽車IGBT交期一年。2022-2023年后疫情緩解了工廠復(fù)工，英飛凌交期可能會(huì)緩解；但是，對(duì)IGBT模組來(lái)說(shuō)，汽車和光伏市場(chǎng)成長(zhǎng)很快，缺貨可能會(huì)一直持續(xù)下去。直到英飛凌12英寸，還有國(guó)內(nèi)幾條12英寸（士蘭微、華虹、積塔、華潤(rùn)微等）產(chǎn)線投出來(lái)才有可能緩解。
Q：新能源車IGBT市場(chǎng)和國(guó)內(nèi)主要企業(yè)優(yōu)劣勢(shì)？ A：*比亞迪，國(guó)內(nèi)最早開(kāi)始做的；（1）2008年收購(gòu)了寧波中瑋的IDM晶圓廠開(kāi)始自己做，2010-2011年組織團(tuán)隊(duì)開(kāi)始開(kāi)發(fā)車載IGBT；2012年導(dǎo)入自家比亞迪車，2015年自研的IGBT開(kāi)始上量。（2）2015年以前，比亞迪80%芯片都是外購(gòu)英飛凌的，然后封裝用在自己的車上，比如唐、宋等；（3）2015年之后自產(chǎn)的IGBT 2.5代芯片出來(lái)，80%芯片開(kāi)始用自己，20%外購(gòu)；（4）2017-2018年IGBT 4.0代芯片出來(lái)以后，基本100%用自己的芯片。他現(xiàn)在IGBT裝車量累計(jì)最多，累計(jì)100萬(wàn)臺(tái)用自己的芯片，2017年開(kāi)始往外推廣自己的芯片和模塊，但是，比亞迪IGBT 4.0只能對(duì)標(biāo)英飛凌IGBT 2.5為平面型+FS結(jié)構(gòu)，比國(guó)內(nèi)企業(yè)溝槽型的芯片性能還差一些（對(duì)比斯達(dá)、宏微、士蘭微的4代都落后一代；導(dǎo)致飽和壓降差2V，溝槽型的薄和壓降差1.4V，所以平面結(jié)構(gòu)的損耗大，最終影響輸出功率效率）。所以，目前外部采用比亞迪IGBT量產(chǎn)的客戶只有深圳的藍(lán)海華騰，做商用物流車；乘用車其他廠商沒(méi)用一個(gè)是性能比較落后，另一個(gè)是比亞迪自研的模塊是定制化封裝，比目前標(biāo)準(zhǔn)化封裝A71、A72等模塊不一樣；（5）2020年底比亞迪最新的IGBT 5.0推出來(lái)，能對(duì)標(biāo)國(guó)內(nèi)同行溝槽型的芯片（對(duì)標(biāo)英飛凌4.0代IGBT，還有斯達(dá)、士蘭微的溝槽型產(chǎn)品），就看他今年推廣新產(chǎn)品能不能取得進(jìn)展了。
第二斯達(dá)半導(dǎo)：（1）2008年開(kāi)始做IGBT，原本也是外購(gòu)芯片，自己做封裝；（2）2015年英飛凌收購(gòu)了IR（international rectifier），把IR原本芯片團(tuán)隊(duì)解散了，斯達(dá)把這個(gè)團(tuán)隊(duì)接手過(guò)來(lái)，在IR第7代芯片（對(duì)標(biāo)英飛凌第4代）基礎(chǔ)上迭代開(kāi)發(fā)；（3）2016年開(kāi)始推廣自己研發(fā)的芯片，客戶如匯川、英威騰進(jìn)行推廣。這款是在別人基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)的，走了捷徑，所以一次成功，迅速在國(guó)內(nèi)主機(jī)廠進(jìn)行推廣；（4）2017年開(kāi)始用在電控、整車廠；（5）斯達(dá)現(xiàn)在廠內(nèi)自研的芯片占比70%，但是在車規(guī)上A00級(jí)、大巴、物流車這些應(yīng)用比較多。但是他的750V那款A(yù)級(jí)車模塊還沒(méi)有到車規(guī)級(jí)，壽命僅有4-5年（要求10年以上），失效率也沒(méi)有達(dá)標(biāo)（年失效率50ppm的等級(jí)）；A級(jí)車的整車廠對(duì)車載IGBT模塊導(dǎo)入更傾向于IDM，因?yàn)閷?duì)芯片壽命、可靠性、失效率要求高，IDM在Fab廠端對(duì)工藝、參數(shù)自己把控。斯達(dá)的芯片是Fabless，沒(méi)法證明自己的芯片來(lái)料是車規(guī)級(jí)；（雖然最終模塊出廠是車規(guī)級(jí)，但是芯片來(lái)料不能保證） Fabless做車規(guī)級(jí)的限制：斯達(dá)給華虹下單，是晶圓出來(lái)以后，芯片還有經(jīng)過(guò)多輪篩選，經(jīng)過(guò)測(cè)試還有質(zhì)量篩選，然后再拿去封裝，封裝完以后在拿去老化測(cè)試，動(dòng)態(tài)負(fù)載測(cè)試等，最后才會(huì)出給整機(jī)客戶；但是，IDM模式在Fab廠那端就可以做到很多質(zhì)量控制，把參數(shù)做到一致，就可以讓芯片達(dá)到車規(guī)等級(jí)，出來(lái)以后不需要經(jīng)過(guò)很多輪的篩選；
第三中車電氣：（1）2012年收購(gòu)英國(guó)的丹尼克斯，開(kāi)始進(jìn)行IGBT開(kāi)發(fā)。（2）2015年成立Fab廠，一開(kāi)始開(kāi)發(fā)應(yīng)用于軌交的IGBT高壓模塊6500V/7500V。2017年因?yàn)樵隍?yàn)證所以產(chǎn)能比較閑置，所以開(kāi)始做車規(guī)級(jí)的IGBT模塊650V/750V/1200V的產(chǎn)品；（3）2018年國(guó)產(chǎn)開(kāi)始有機(jī)會(huì)導(dǎo)入大巴車、物流車、A00級(jí)別的模塊（當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)主要是中車、比亞迪、斯達(dá)三家導(dǎo)入，中車的報(bào)價(jià)是里面最低的；但是受限于中車原來(lái)不是做工控產(chǎn)品，所以對(duì)于車規(guī)IGBT的應(yīng)用功放，還有加速功放理解不深；例如：IGBT要和FRD并聯(lián)使用，斯達(dá)和比亞迪是IGBT芯片和FRD芯片面積都是1:1使用，中車當(dāng)時(shí)不太了解，卻是用1:0.5，在特殊工況下，二極管電流會(huì)很大，失效導(dǎo)致炸機(jī)，所以當(dāng)時(shí)中車*版的模塊推廣不是很順利。 2019-2021年中車進(jìn)行芯片改版，以及和Tier-1客戶緊密合作，目前匯川、小鵬、理想都對(duì)中車進(jìn)行了兩年的質(zhì)量驗(yàn)證，今年公司IGBT有機(jī)會(huì)上乘用車放量。我們覺(jué)得中車目前的產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到車規(guī)要求，比斯達(dá)、比亞迪都好；中車的Fab廠和封裝廠也達(dá)到車規(guī)等級(jí)，今年中車上量以后還要看他的失效率。如果今年數(shù)據(jù)OK的話，后面中車有機(jī)會(huì)占據(jù)更大份額。
第四士蘭微：（1）2018年之前主要做白電產(chǎn)品；（2）2018年以后成立工業(yè)和車載IGBT。四家里面士蘭微是最晚開(kāi)始做的；（3）目前為止，士蘭微車載IGBT有些樣品出來(lái)，而且有些A00級(jí)別客戶已經(jīng)開(kāi)始采用了，零跑、菱電采用了士蘭微模塊。士蘭微要走的路線是中車、斯達(dá)的路徑，先從物流、大巴、A00級(jí)進(jìn)入。士蘭微雖然起步慢，但是優(yōu)勢(shì)是在于IDM，自有6、8、12英寸產(chǎn)線產(chǎn)品迭代非常塊（迭代一版產(chǎn)品只要3個(gè)月，F(xiàn)abless要6個(gè)月）。工業(yè)領(lǐng)域方面，士蘭未來(lái)是斯達(dá)最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，車載這塊主要看他從A00級(jí)車切入A級(jí)車的情況。
Q：國(guó)內(nèi)幾家廠商車規(guī)芯片參數(shù)差異？ A：比亞迪IGBT的4.0平面型飽和壓降在2V以上，但是斯達(dá)、士蘭微、中車的溝槽型工藝能做到1.4V-1.6V，平面損耗大，最終影響輸出功率差；如果以A級(jí)車750V模塊為例，士蘭微是目前國(guó)內(nèi)做最好的，能對(duì)標(biāo)英飛凌輸出160KW-180KW，然后是中車，也能做到160KW但是到不了180KW，斯達(dá)半導(dǎo)產(chǎn)品出來(lái)比較早做到140-150kW的功率，比亞迪用平面型工藝最高智能做到140kW，所以最后會(huì)體現(xiàn)在輸出功率；比亞迪芯片工藝落后的原因：收購(gòu)寧波中瑋的廠是臺(tái)積電的二手廠，這條線只能做6英寸平面型工藝，做不了溝槽的工藝；所以比亞迪新一代的5.0溝槽工藝的芯片是在華虹代工的（包括6.0對(duì)標(biāo)英飛凌7代的芯片估計(jì)也是找?guī)?dòng)）。
Q：國(guó)內(nèi)幾家廠商封裝工藝的差異？ A：車規(guī)封裝有四代產(chǎn)品：（1）*代是單面間接水冷：模塊采用銅底板，模塊下面涂一層導(dǎo)熱硅脂，打在散熱器底板上，散熱器下面再通水流，因此模塊不直接跟水接觸。這種模塊主要用在經(jīng)濟(jì)型方案，如A00、物流車等；這個(gè)封裝模塊國(guó)內(nèi)廠商比亞迪、斯達(dá)、宏微等都可以量產(chǎn)，從工業(yè)級(jí)封裝轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)沒(méi)什么技術(shù)難度。（2）第二代是單面直接水冷：會(huì)在底板上長(zhǎng)散熱齒（Pin Fin結(jié)構(gòu)）,在散熱器上開(kāi)一個(gè)槽，把模塊插進(jìn)去，下面直接通水，跟水直接接觸，周圍封住，散熱效率和功率密度會(huì)比上一代提升30%以上；這種模塊主要用在A00和A級(jí)車以上，乘用車主要用這種方案。國(guó)內(nèi)也是大家都可以量產(chǎn)，細(xì)微區(qū)別在于斯達(dá)、中車用的銅底板，比亞迪用的鋁硅鈦底板，比亞迪這個(gè)底板更可靠，但是散熱沒(méi)有銅好。他是講究可靠性，犧牲了一些性能。（3）第三代是雙面散熱：模塊從灌膠工藝轉(zhuǎn)為塑封工藝，兩面都是間接水冷，散熱跟抽屜一樣把模塊插進(jìn)去；這種模塊最早是日系Denso做得（給豐田普銳斯），國(guó)內(nèi)華為塞力斯做的車，也是采用這個(gè)雙面水冷散熱的方案。國(guó)外安森美、英飛凌、電樁都是這個(gè)方案，國(guó)內(nèi)是比亞迪（2016年開(kāi)始做）和斯達(dá)在做，但是對(duì)工藝要求比較高（散熱器模塊封裝工藝比較復(fù)雜，芯片需要特殊要求，要求芯片兩面都能焊，所以芯片上表面還需要電鍍），國(guó)內(nèi)比亞迪、斯達(dá)距離量產(chǎn)還有一段距離（一年左右）；（4）第四代是雙面直接水冷：兩面銅底加上長(zhǎng)pinfin雙面散熱，目前全球只有日本的日立可以量產(chǎn)，給奧迪etron、雷克薩斯等高端車型在供應(yīng)，國(guó)內(nèi)這塊沒(méi)有量產(chǎn)，還處于技術(shù)開(kāi)發(fā)階段。
Q：國(guó)內(nèi)企業(yè)現(xiàn)在還有外采英飛凌的芯片嗎，國(guó)內(nèi)這四家距離英飛凌的代差 A：目前斯達(dá)、宏微、比亞迪還是有部分產(chǎn)品外采英飛凌的芯片；斯達(dá)外采的芯片主要是做一些工業(yè)級(jí)別IGBT產(chǎn)品，例如：在電梯、起重機(jī)、工業(yè)冶金行業(yè)，客戶會(huì)指定要求模塊可以國(guó)產(chǎn)，但是里面芯片必須要進(jìn)口（例如：匯川的客戶蒂森克虜伯，德國(guó)電梯公司）；還有一些特殊工業(yè)冶煉，這些芯片頻率很高，國(guó)內(nèi)還做不到，就需要外采芯片；車載外采英飛凌再自己做封裝的話，價(jià)格拼不過(guò)英飛凌；（英飛凌第七代芯片不賣給國(guó)內(nèi)器件廠，只賣四代）；國(guó)內(nèi)來(lái)講，斯達(dá)、士蘭微、中車等，不管他們自己宣傳第幾代，實(shí)際上都是對(duì)標(biāo)英飛凌第四代（溝槽+FS的結(jié)構(gòu)），目前英飛凌最新做到第七代，英飛凌第五代（大功率版第四代）、第六代（高頻版第四代）第五和第六代是擠牙膏基于第四代的升級(jí)迭代，沒(méi)有質(zhì)量飛躍；第七代相對(duì)第四代是線徑減少（5微米縮小到3微米，減小20%面積），芯片減薄（從120微米減少到80微米，導(dǎo)通壓降會(huì)更好），性能更好（1200V產(chǎn)品的導(dǎo)通壓降從1.7V降到1.4V）。而且，英飛凌第七代IGBT是在12寸上做，單顆面積減小，成本可能是第四代的一半。但是，英飛凌在國(guó)內(nèi)銷售策略，第七代售價(jià)跟第四代差不多，保持大客戶年降5%（但是第七代性能比第四代有優(yōu)勢(shì)）；國(guó)內(nèi)士蘭微、中車、斯達(dá)能夠量產(chǎn)的都是英飛凌四代、比亞迪4.0對(duì)標(biāo)英飛凌2.5代，5.0對(duì)標(biāo)英飛凌4代； 2018年底，英飛凌推出7代以后因?yàn)樾阅芎芎茫瑖?guó)內(nèi)士蘭微、斯達(dá)、宏微當(dāng)時(shí)就朝著第七代產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，目前士蘭微、斯達(dá)有第七代樣品出來(lái)了，但是離量產(chǎn)有些距離。第七代IGBT的關(guān)鍵設(shè)備是離子注入機(jī)等，這個(gè)設(shè)備受到進(jìn)口限制，目前就國(guó)內(nèi)的華虹、士蘭微和積塔半導(dǎo)體有。士蘭微除了英飛凌第七代，還走另一條路子，F(xiàn)ollow日本的富士，走RC IGBT（把IGBT和二極管集成到一顆IC用在車上），還沒(méi)有量產(chǎn)。
Q：斯達(dá)IGBT跟華虹的關(guān)系和進(jìn)展如何？ A：斯達(dá)跟華虹一直都是又吵又合作。2018年英飛凌缺貨的時(shí)候，對(duì)斯達(dá)來(lái)講是個(gè)非常好的國(guó)產(chǎn)替代機(jī)會(huì)，斯達(dá)采取策略切斷小客戶*大客戶，在匯川起量（緊急物料快速到貨），在匯川那邊去年做到2個(gè)億，今年可能做到3個(gè)億；缺貨*對(duì)國(guó)產(chǎn)化是很好的機(jī)會(huì)，但是，華虹當(dāng)時(shí)對(duì)斯達(dá)做了個(gè)不好的事情，當(dāng)年漲了三次價(jià)格，一片wafer從2800漲到3500，所以，2019年斯達(dá)后面找海內(nèi)外的代工廠，包括中芯紹興、日本的Fab等。所以斯達(dá)和華虹都是相愛(ài)相殺的狀態(tài)。斯達(dá)自己規(guī)劃IDM做的產(chǎn)品，是1700V高壓IGBT和SiC的芯片，這塊業(yè)務(wù)在華虹是沒(méi)有量產(chǎn)的新產(chǎn)品，華虹那邊的業(yè)務(wù)量不會(huì)受到影響（12英寸針對(duì)斯達(dá)1200V以下IGBT）。但是，從整個(gè)功率半導(dǎo)體模式來(lái)說(shuō)，大家都想往IDM轉(zhuǎn)，*個(gè)是實(shí)現(xiàn)成本控制提高毛利率，擴(kuò)大份額。第二個(gè)是產(chǎn)品工藝能力，斯達(dá)往A級(jí)車推廣不利，主要就是因?yàn)槭芟抻贔abless模式，追求質(zhì)量和可靠性，未來(lái)還是要走IDM模式。
Q：士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)體的12寸IGBT的下游應(yīng)用有區(qū)別嗎？ A：目前國(guó)內(nèi)12英寸主要是讓廠家成本降低，但是做得產(chǎn)品其實(shí)一樣。12寸晶圓工藝更難控制，晶圓翹曲更大，更容易裂片，尤其是減薄以后的離子注入，工藝更難控制。士蘭微、斯達(dá)在12寸做IGBT，主要還是對(duì)標(biāo)英飛凌第四代產(chǎn)品，厚度120微米。如果做到對(duì)標(biāo)英飛凌的第七代，要減薄到80微米，更容易翹曲和裂開(kāi)。士蘭微、斯達(dá)12寸IGBT產(chǎn)品主要用在工業(yè)場(chǎng)景，英飛凌12英寸在2016、2017年出來(lái)，首先切入工業(yè)產(chǎn)線，后面再慢慢切入車規(guī)，因?yàn)檐囈?guī)變更產(chǎn)線所有車規(guī)等級(jí)需要重新認(rèn)證。
Q：電動(dòng)車?yán)锩鍵GBT的價(jià)值量？ A：電控是電動(dòng)車?yán)锩鍵GBT價(jià)值量最大頭；（1）物流車：用*代封裝技術(shù)，一般使用1200V 450A模塊，屬于半橋模塊，單個(gè)模塊價(jià)格300元（中車報(bào)價(jià)280），一輛車電控系統(tǒng)要用三個(gè)，單車價(jià)值量1000元；（2）大巴車：目前用物流車一樣的封裝方案（*代）；但是不同等級(jí)大巴功率也不一樣，8米大巴用1200V 600A；大巴一般是四驅(qū)，前后各有一個(gè)電控，一個(gè)電控用3個(gè)模塊，總共要用6個(gè)模塊，單個(gè)價(jià)格450-500，單車價(jià)值量3000元左右；10米大巴功率等級(jí)更高用1200V 800A，一個(gè)模塊600塊，也用6個(gè)，單車價(jià)值量3600元左右。（3）A00級(jí)（小車）：用80KW以下，使用第二代封裝（HP1模塊），模塊英飛凌900左右（斯達(dá)報(bào)價(jià)600）。（4）A級(jí)車以上：15萬(wàn)左右車型用單電控方案，用第二代直接水冷的HP Drive模塊，英飛凌報(bào)價(jià)從2000-1300元（斯達(dá)1000元）；20-30萬(wàn)一般是四驅(qū)，前后各有一個(gè)電機(jī)，進(jìn)口2600（國(guó)產(chǎn)2000）；*車型：蔚來(lái)ES8（硅基電控單個(gè)160-180KW，后驅(qū)需要240KW），前驅(qū)一個(gè)，后驅(qū)并聯(lián)用兩個(gè)模塊；所以共需要三個(gè)，合計(jì)3000-3900元。（5）車上OBC：6.6kW慢充用IGBT單管，20多顆分立器件，總體成本300元以下；（6）車載空調(diào)：4kW左右用IPM*類封裝，價(jià)值量100元以內(nèi)；（7）電子助力轉(zhuǎn)向，功率在15-20kW，主要用的75A模塊，價(jià)值量200元以內(nèi)；（8）充電樁：慢充20kW以內(nèi)用半橋工業(yè)IGBT，200元以內(nèi)。未來(lái)的話要做到超級(jí)快充100KW以上，越大功率去做會(huì)采用SiC方案，成本成倍增加，可能到1000元以上；
Q：國(guó)內(nèi)SiC主要企業(yè)優(yōu)劣勢(shì)？ A：國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈不完整。做晶圓這塊國(guó)內(nèi)能夠量產(chǎn)的是碳化硅二極管，SiC二極管已經(jīng)量產(chǎn)的是三安光電、瑞能、泰科天潤(rùn)。士蘭和華潤(rùn)目前的進(jìn)度還沒(méi)有量產(chǎn)（還在建設(shè)產(chǎn)線）； SiC MOS的IDM模式要等更久，相對(duì)更快的反而是Fabless企業(yè)，瞻芯、瀚薪等f(wàn)abless，找臺(tái)灣的漢磊代工，開(kāi)始有些碳化硅MOS在OBC和電源上面量產(chǎn)了，主要因?yàn)閲?guó)內(nèi)Fab廠商不成熟（柵氧化層、芯片減薄還不成熟），相對(duì)海外廠商工藝更好，國(guó)內(nèi)落后三年以上。海外的羅姆已經(jīng)在做溝槽型SiC MOS的第三代了，ST的SiC都在特斯拉車上量產(chǎn)了； cfcea67252a575a1b2428335ac66bb1a

SiC應(yīng)用來(lái)講，整個(gè)全球市場(chǎng)6-7億美金，成本太高所以應(yīng)用行業(yè)主要分兩個(gè)： *個(gè)、是高頻高效的場(chǎng)景，如光伏、高端通信電源，采用SiC二極管而不是SiC MOSFET，可以降低成本；把跟IGBT并聯(lián)的硅基二極管換成SiC二極管，可以提升效率兼顧成本；第二塊、就是車載，（1）OBC強(qiáng)調(diào)充電效率（超過(guò)12KW、22KW）的高端車型，已經(jīng)開(kāi)始批量采用SiC MOSFET，因?yàn)樘蓟璩潆娦时容^高，充電快又剩電；（2）車載主驅(qū)逆變的話主要用在高端車型，保時(shí)捷Taycan、蔚來(lái)ET7，效率比較高可以提升續(xù)航，功率密度比較高；20-30萬(wàn)中段車型主要是Tesla model 3 和比亞迪漢在用SiC MOS模塊，因?yàn)樘厮估⒈葋喌鲜谴怪币惑w化的整車廠（做電控、做電池、又做整車），所以可以清楚知道效能提升的幅度；相對(duì)來(lái)說(shuō)，其他車企是分工的，模塊廠也講不清楚用了SiC的收益具體有多少（如節(jié)省電池成本），而且IGBT模塊的價(jià)格也在降低成本。雖然SiC可以提高續(xù)航，但是SiC節(jié)省溫高的優(yōu)點(diǎn)還沒(méi)發(fā)揮，節(jié)省溫高可以把散熱系統(tǒng)做小，優(yōu)勢(shì)才會(huì)提升。目前特斯拉SiC模塊成本在5000元，是國(guó)產(chǎn)硅基IGBT的1300-1500元5-8倍區(qū)間，所以國(guó)產(chǎn)車企還在觀望；但是，預(yù)計(jì)到2023年SiC成本有希望縮減到硅基IGBT的3倍差距，整車廠看到更多收益以后才會(huì)推動(dòng)去用SiC。
Q：比亞迪的SiC采購(gòu)誰(shuí)的 A：比亞迪采購(gòu)Cree模塊；英飛凌主要是推動(dòng)IGBT7，沒(méi)有積極推SiC；因?yàn)橥芐iC會(huì)革自己硅基產(chǎn)品的命。目前積極推廣碳化硅的是羅姆、科瑞（全球襯底占比80%-90%）；
Q：工控、光伏領(lǐng)域里面，國(guó)產(chǎn)IGBT廠商的進(jìn)展 A：以匯川為例，會(huì)要求至少兩家供應(yīng)商，工控里面一個(gè)用斯達(dá)，另一個(gè)宏微（匯川是宏微股東）；目前上量比較多的就是斯達(dá)；（1）斯達(dá)的IGBT去年2個(gè)億，今年采用規(guī)模可能達(dá)3億以上（整個(gè)IGBT采購(gòu)額約15億）；（2）宏微的IGBT芯片和封裝在廠內(nèi)出現(xiàn)過(guò)重大事故，質(zhì)量問(wèn)題比較大，導(dǎo)致量上不去，去年3000-4000萬(wàn)；伺服方面去年缺貨，小功率IPM引入了士蘭微，（3）士蘭微隨著小批量上量，后面工控模塊也有機(jī)會(huì)對(duì)士蘭微進(jìn)行質(zhì)量驗(yàn)證；光伏IGBT和工控不一樣，國(guó)內(nèi)企業(yè)反而沒(méi)人關(guān)注，因?yàn)楣夥酒龈哳l，達(dá)到50-100K頻率（工控只要10K）。英飛凌有對(duì)高頻做專門開(kāi)發(fā)（國(guó)內(nèi)沒(méi)有專門開(kāi)發(fā)的）。另外光伏對(duì)效率要求高（98%效率），海外廠商能做的也不多定制化要求高，電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)更加復(fù)雜（跟傳統(tǒng)不一樣，為了提升效率要不斷堆積功率半導(dǎo)體，做出更復(fù)雜的電路拓?fù)洌ㄖ苹蠛芨摺Ｐ枰墓β誓K也很多（1200V、650V的IGBT都有，還有SiC的二極管；）；海外廠商能夠供應(yīng)的主要有英飛凌、安森美，海外能供應(yīng)的也不超過(guò)5-6家，國(guó)產(chǎn)是一片藍(lán)海，基本沒(méi)法供應(yīng)，只有斯達(dá)、宏微供一些單管產(chǎn)品，模塊沒(méi)法大批量去供應(yīng)；
Q：匯川使用士蘭微的情況怎么樣？ A：目前還是可以的，去年口罩機(jī)上量，用了士蘭微的IPM模塊，以前用ST的IPM模塊。目前，士蘭微的失效率保持3/1000以內(nèi)，后面考慮對(duì)士蘭微模塊產(chǎn)品上量（因?yàn)槲覀兡K采購(gòu)額一直在提升，只有兩個(gè)國(guó)產(chǎn)企業(yè)供應(yīng)不來(lái)）。匯川內(nèi)部有零部件的國(guó)產(chǎn)化率目標(biāo)，工業(yè)產(chǎn)品設(shè)定2022年達(dá)到60%的國(guó)產(chǎn)化率，英威騰定的2022年80%，所以國(guó)產(chǎn)功率企業(yè)還是有很大空間去做。
Q：匯川給士蘭微的體量 A：如果對(duì)標(biāo)國(guó)產(chǎn)化率目標(biāo)，今年采購(gòu)15億，60%國(guó)產(chǎn)化率就是9個(gè)億的產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化，2-3家份額分一下。（可能斯達(dá)4個(gè)億；宏微、士蘭微各自2-3個(gè)億；）具體看他們做得水平
Q：SiC二極管在光伏采用情況？ A：光伏里面也有IGBT模塊，IGBT會(huì)并聯(lián)二極管，現(xiàn)在是用SiC二極管替代IGBT里面的硅基FRD，SiC可以大幅減少開(kāi)關(guān)損耗，提升光伏逆變器的效率。所以換成SiC二極管可以少量成本增加，換取大量效益；國(guó)產(chǎn)SiC二極管主要用在通信站點(diǎn)、大型UPS里面；目前在光伏里面的IGBT模塊還是海外壟斷，所以里面的SiC二極管還是海外為主，未來(lái)如果斯達(dá)、宏微開(kāi)發(fā)碳化硅模塊，也會(huì)考慮國(guó)產(chǎn)化的。 47c699ea6edf6df4ca8fc5648f8034b2

Q：華潤(rùn)微、新潔能、揚(yáng)杰、捷捷這些的IGBT實(shí)力？ A：這里面比較*的是華潤(rùn)微；（1）華潤(rùn)微在2018年左右開(kāi)始做IGBT，今年有1、2個(gè)億左右收入主要是單管產(chǎn)品，應(yīng)該還沒(méi)有模塊；（2）新潔能是純Fabless，沒(méi)有自己的Fab和模塊工廠，要做到工業(yè)和車規(guī)比較難（匯川不會(huì)考慮導(dǎo)入），可能就是做消費(fèi)級(jí)或是白電這種應(yīng)用。（3）捷捷、揚(yáng)杰有些SiC二極管樣品，實(shí)際沒(méi)多少銷售額，IGBT產(chǎn)品市場(chǎng)上還看不太到，主要用在相對(duì)低端的工控，像焊機(jī)，高端工業(yè)類應(yīng)用看不到；比亞迪其實(shí)也是，工業(yè)也主要在焊機(jī)、電磁爐，往高端工業(yè)走還是需要個(gè)積累過(guò)程。
Q：比亞迪半導(dǎo)體其他產(chǎn)品的實(shí)力？ A：之前是芯片代數(shù)有差距，所以一直上不了量，毛利率也比較低，比如工業(yè)領(lǐng)域外銷就5000萬(wàn)（比不過(guò)國(guó)內(nèi)任何IGBT企業(yè)），用在變焊機(jī)等。所以關(guān)鍵是，看比亞迪今年能不能把溝槽型的芯片推廣到變頻器廠等高端工業(yè)領(lǐng)域以及車載的外部客戶突破。如果今年外銷還是只有4-5000萬(wàn)的話，那么說(shuō)明他的芯片還是沒(méi)有升級(jí)。
Q：吉利的人說(shuō)士蘭微的產(chǎn)品迭代很快，是國(guó)內(nèi)最接近英飛凌的，怎么評(píng)價(jià)？ A：這個(gè)確實(shí)是這樣，自己有fab廠三個(gè)月就能迭代一個(gè)版本，沒(méi)有fab廠要六個(gè)月。士蘭微750V芯片能對(duì)標(biāo)英飛凌，做到160-180kW的功率。他的飽和壓降確實(shí)是國(guó)內(nèi)最低的，目前他最大的劣勢(shì)在于做車規(guī)比較晚，基本是零數(shù)據(jù)，需要這兩年車載市場(chǎng)爆發(fā)背景下，在A00級(jí)別（零跑采用了，但是屬于小批量，功率80KW以內(nèi)，壽命要求也低一些；）和物流車上面發(fā)貨來(lái)取得質(zhì)量數(shù)據(jù)，國(guó)內(nèi)的車廠后面可能用他的產(chǎn)品。（借鑒中車走過(guò)的路，除了性能還要有質(zhì)量的積累）。
Q：士蘭微IPM起量的情況？ A：國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要針對(duì)白電的變頻模塊，國(guó)內(nèi)一年6-7億只；單價(jià)按照12-13元/個(gè)去算，國(guó)內(nèi)70-80億規(guī)模，這塊價(jià)格和毛利率比較低一些，國(guó)內(nèi)主要是士蘭微和吉林華微在做，斯達(dá)也開(kāi)始設(shè)計(jì)但是量不大一年才幾千萬(wàn)，所以，士蘭微是目前最大的，目前導(dǎo)入了格力、美的，量很大，今年有可能做到8個(gè)億以上，是國(guó)產(chǎn)化的過(guò)程，把安森美替代掉（一旦導(dǎo)入了就有很大機(jī)會(huì)可以上量）；但是，這塊IPM毛利率不會(huì)太高。要提毛利率的話還是要做工業(yè)和車規(guī)級(jí)（斯達(dá)毛利率40%以上就是因?yàn)橹蛔龉た睾推嚨燃?jí)，風(fēng)電，碳化硅這些都是毛利率50%以上的）
Q：士蘭微12英寸的情況？

A：去年底開(kāi)始量產(chǎn)，士蘭微12英寸前期跑MOS產(chǎn)品，公司去年工業(yè)1200V的IGBT做了一個(gè)億，今年能做2-3億；目前MOS能做到收入10億。

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