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數(shù)字晶體管PDTC114ET

數(shù)字晶體管PDTC114ET

薩科微Slkor的PDTC114ET數(shù)字晶體管,高集電極擊穿電壓,適度電流,低功耗,表面貼裝封裝,適用于多種電子設備。

晶體管類型-
集射極擊穿電壓(Vceo):50V
集電極電流(Ic):50mA
功率(Pd):200mW
集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):-
特征頻率(fT):250MHz
工作溫度:150℃@(Tj)

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產(chǎn)品概述:

PDTC114ET是由薩科微(Slkor)生產(chǎn)的數(shù)字晶體管,適用于多種應用場景。該晶體管具有高集電極擊穿電壓、適度的集電極電流和低功耗的特點。采用適用于表面貼裝的封裝,適用于各種電子設備。


關鍵特性:

集射極擊穿電壓(Vceo): 50V - 提供較高的集射極擊穿電壓。

集電極電流(Ic): 50mA - 具有適度的集電極電流能力。

功率(Pd): 200mW - 適用于低功耗電子設備。

特征頻率(fT): 250MHz - 適用于高頻應用。

工作溫度: +150℃ 

應用領域:

數(shù)字邏輯電路

放大器和放大電路

電源管理系統(tǒng)

通信設備

LED 驅動器

性能優(yōu)勢:

較高的擊穿電壓: 50V 的擊穿電壓,適用于中到高壓應用。

適度的集電極電流能力: 50mA 的集電極電流,適用于多種應用場景。

低功耗: 200mW 的功率,適用于低功耗電子設備。

較高的特征頻率: 250MHz 的特征頻率,適用于高頻應用。

安裝與使用:

PDTC114ET采用適用于表面貼裝的封裝。詳細的安裝和使用說明可參考產(chǎn)品手冊,確保最佳性能和穩(wěn)定性。


注意事項:

在使用PDTC114ET時,請根據(jù)產(chǎn)品手冊提供的電氣特性和*最大額定值來選擇合適的工作條件,并確保正確連接和使用。


為了獲取更多技術支持和產(chǎn)品信息,請聯(lián)系薩科微(Slkor)客戶服務團隊。


支持

如果您需要設計/技術支持,請告知我們并填寫 應答表 我們會盡快回復您。


Longevity

The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.

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